4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF8S21120HR3 MRF8S21120HSR3
Figure 1. MRF8S21120HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF8S21120H
Rev. 1
R1
C11
VGG
CUT OUT AREA
R2
C3
R3
C1
C4
C2
C12
C8
C6
C7
C9 C10
VDD
C13
C5
Table 5. MRF8S21120HR3(HSR3) Test Circuit Component Designations and Values
Part
Description
Part Number
Manufacturer
C1, C3, C6, C7, C8
6.8 pF Chip Capacitors
ATC100B6R8BT500XT
ATC
C2
1.2 pF Chip Capacitor
ATC100B1R2BT500XT
ATC
C4
0.2 pF Chip Capacitor
ATC100B0R2BT500XT
ATC
C5, C9, C10, C11, C12
10
μF, 50 V Chip Capacitors
C5750X5R1H106MT
TDK
C13
220
μF Electrolytic Capacitor
2222 120 18221
Vishay BC Components
R1, R2
2K?, 1/4 W Chip Resistors
WCR12062K2FI
Welwyn
R3
10
?, 1/4 W Chip Resistor
232272461009
Phycomp
PCB
0.030″,
εr
=2.55
AD255A
Arlon
相关PDF资料
MRF8S21140HSR3 FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780S
MRF8S21200HSR6 MOSFET RF N-CH 48W NI-1230HS
MRF8S23120HSR5 MOSFET RF N-CH 120W NI-780S
MRF8S26120HSR3 FET RF N-CH 2.6GHZ 28V NI780S
MRF8S7170NR3 FET RF N-CH 700MHZ 28V OM780-2
MRF8S9100HSR5 MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
相关代理商/技术参数
MRF8S21120HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 120W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21140HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2GHZ 140W NI780S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S21172HR3_12 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S21172HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray